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PA-100A01 芯片级烧结银膏可实现低温芯片级互连的银膏，与传统焊料相比，导热率提升5倍，使用寿命延长10倍以上，烧结温度最低可至230℃。该产品采用印刷工艺，适用于功率芯片与基板之间的连接，在应用中确保更高的热导率以及可靠性。
PA-100A03B 芯片级烧结银膏可实现低温芯片级互连的银膏，与传统焊料相比，导热率提升5倍，使用寿命延长10倍以上，烧结温度最低可至230℃。该产品采用印刷工艺，适用于功率芯片与基板之间的连接，在应用中确保更高的热导率以及可靠性。
PA-100A02 芯片级烧结银膏可实现低温芯片级互连的银膏，与传统焊料相比，导热率提升5倍，使用寿命延长10倍以上，烧结温度最低可至230℃。该产品采用印刷工艺，适用于功率芯片与基板之间的连接，在应用中确保更高的热导率以及可靠性。
PA-400A05 系统级烧结银膏可实现低温系统级互连的银膏,烧结温度最低可至 200℃,区别于芯片级有压银膏,系统级烧结银膏可以实现大面积(≥2000mm²)的模块封装,散热效率和机械可靠性大幅度优于传统焊料。
PA-400A02A 系统级烧结银膏可实现低温系统级互连的银膏,烧结温度最低可至 200℃,区别于芯片级有压银膏,系统级烧结银膏可以实现大面积(≥2000mm²)的模块封装,散热效率和机械可靠性大幅度优于传统焊料。
PA-300A01-50NP 烧结铜电极可实现芯片正面互连的电极薄片,可以兼容 300-400μm线径的铜线超声键合。相较于铝线,铜线具有良好的机械性能、电导率和可靠性，可实现更高的电流密度和更长的服役寿命。该方案可满足SiC模块和IGBT模块封装应用。
PA-300A03-507B 烧结铜电极可实现芯片正面互连的电极薄片,可以兼容 300-400μm线径的铜线超声键合。相较于铝线,铜线具有良好的机械性能、电导率和可靠性，可实现更高的电流密度和更长的服役寿命。该方案可满足SiC模块和IGBT模块封装应用。
